Meccanismo di formazione del film PECVD
May 08, 2024| Meccanismo di formazione del film PECVD
• Pellicola isolante SiNx: la miscela di SiH4, N2 e NH3 viene utilizzata come gas di reazione e la pellicola viene formata sul substrato mediante scarica luminescente che genera plasma.
• Si:H: il gas SiH4 viene scaricato mediante incandescenza nella camera di reazione e, dopo una serie di reazioni primarie e secondarie, vengono generati prodotti di reazione più complessi come ioni e gruppi attivi figli e infine viene prodotta la pellicola A-Si:H e depositato sul substrato. Alcuni prodotti neutri, come SiHn(n:0~3), sono direttamente coinvolti nella crescita della formazione del film.
Quando la pellicola cresce, se viene adottato il primo processo di formazione della pellicola, i difetti nel processo di crescita della pellicola continueranno a crescere lungo la direzione di formazione della pellicola, esponendo così la superficie.
Allo stesso tempo, poiché i difetti della formazione del film a bassa velocità sono inferiori a quelli della formazione del film ad alta velocità, per ottenere un film denso A-Si:H (supponiamo 2000 A) nel meccanismo Bottom Gate, è possibile ottenerlo mediante prima crescendo di 300 A a bassa velocità e poi di 1700 A ad alta velocità. Dove 300 A è il canale TFT (alcuni dei difetti causati dal primo passaggio sono coperti dal secondo passaggio). Il metodo di filmatura in due fasi può essere utilizzato anche per la produzione di strati isolanti.
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