Principi di base del processo PECVD

La tecnologia PECVD utilizza il plasma a bassa temperatura per generare una scarica luminescente sul catodo della camera di processo (ovvero il vassoio in cui è posizionato il campione) a bassa pressione e utilizza la scarica luminescente (o un altro corpo riscaldante) per riscaldare il campione a una temperatura predeterminata, quindi passa una quantità appropriata di gas di processo, che passa attraverso una serie di reazioni chimiche e reazioni al plasma, e infine forma una pellicola solida sulla superficie del campione. Il diagramma schematico del principio del processo è mostrato nella Figura 1. Nel processo di reazione, il gas di reazione entra nella cavità del forno dall'ingresso dell'aria e si diffonde gradualmente sulla superficie del campione. Sotto l'azione del campo elettrico stimolato dalla sorgente a radiofrequenza, il gas di reazione si decompone in elettroni, ioni e gruppi attivi. Queste sostanze di decomposizione subiscono reazioni chimiche per formare i componenti iniziali del film e i sottoreattivi, che vengono adsorbiti sulla superficie del campione sotto forma di legami chimici per formare un nucleo di film solido, che cresce gradualmente in un'isola, e l'isola continua a crescere in un film continuo. Durante il processo di crescita del film, vari sottoprodotti vengono gradualmente staccati dalla superficie del film e scaricati dall'uscita sotto l'azione della pompa del vuoto.

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